消息称台积电2nm芯片生产良率达60%以上，有望明年量产

12月9日，据外媒透露，台积电计划明年开始量产2纳米芯片，目前该公司已在位于新竹的台积电工厂进行试产，结果显示其2nm制程的良率已达到60%以上。据介绍，台积电的2nm工艺引入了一种新的晶体管结构——环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）。GAA晶体管通过垂直排列的水平纳米片，在四个侧面包围通道，而前代的鳍式场效应晶体管（FinFET）仅能覆盖三面。GAA晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流，从而提升了性能。