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据韩媒报道,韩国芯片巨头SK海力士计划对其中国半导体工厂进行技术提升改造。SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器(DRAM)生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息,SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,产量约占其DRAM总产量的40%。